В мае 2018 года завод, в рамках модернизации производства, совместно с Институтом физики полупроводников (ИФП) им А. В. Ржанова Сибирского отделения (СО) РАН, анонсировал проект по созданию полупроводниковых гетероструктур на основе арсенида и нитрида галлия (материалы, широко применяемые для создания элементов электроники). Такие структуры в будущем станут составными компонентами мощных транзисторов, используемых для создания устройств связи. Стоимость проекта оценивалась в 30 млн евро (более 2 млрд рублей).
Завод «Экран-оптические системы» первый в России запустил производство компонентов на основе нитрида галлия для пассивных и активных устройств электроннокомпонентной плазмы. Проект реализован совместно с ИФП СО РАН.
Выпускаемая на заводе продукция на основе пластин арсенида галлия и нитрида галлия, сейчас активно используется в приборах квантовой электроники, в СВЧ-технике, в телефонах, в технике для систем связи и светотехнике. Как сообщал научный сотрудник ИФП СО РАН Константин Журавлев, переговоры института с предприятием длились около полутора лет. Изначально разработкой полупроводников занимались специалисты института. Позднее для реализации проекта на завод было закуплено зарубежное оборудование из Франции, проводилось обучение персонала.
